王波-Recert-2019-ENGA-FOL-DP-TECH

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对于使用同一种芯片的多芯片封装产品，如果在随工单上没有对芯片方向作规定，以位于_______________的芯片方向来确定芯片贴片方向；

该工序在生产WLCSP的产品时___________________检查芯片正面碎屑（＜20um）和背面碎屑。（＜2mils and 50% die side length）

对于不需要背面印胶晶圆/芯片在膜上不超过两周，如果超过两周，工程师必须BUY OFF这个晶圆/芯片以确认背表面的粘胶残余，从贴膜算起，超过____________的晶圆必须保存N2柜里面。

对于碎裂芯片，重新贴膜________________，如有毛刺、气泡、外来物的，必须ON HOLD给工程师处理。

IFX产品在扩片后需要测量Die之间的间距，Wafer的上、下、左、右、中各测量5点，要求Die之间的间距___________；

清洗BG腔体的频率为______________。机器故障需要手动BG时，______________使用风枪对Wafer吹风，从机器里取出Wafer后，只能将Wafer放在Table上，使用无尘布和酒精将Wafer清洁干净，等待酒精自然干透；

对于6″Wafer, BG厚度为_____________时,8″Wafer BG厚度为_____________时,需要手动的De-tape；

Die Size____________,需要做Wafer Baking, Die Size以_____________为准；

每班切割的第一片要做____________,并做_____________的SPC图, CC刀片的划痕宽度范围是_____________ um，BB刀片划痕宽度范围是_____________um，DD刀片的划痕宽度范围是______________um，FF刀的划痕宽度范围是_____________um；

所有MPS FC产品使用______________型号的膜，全部在二厂做Tape、BG、Mount、UV cure、De-tape工序，再移至一厂做后续工序，从Tape到De-tape的时间控制在_____________小时内，完成De-tape后，立即通知一厂员工使用减震推车转运Wafer到一厂；

对于Bump Wafer在Tape时要将机器里白色的小Roller____________；切割Bump晶圆，因为比普通晶圆多了Bump高度，所以需要控制___________和____________；

WLCSP 每片Wafer Mount的角度为____________度；在生产WLCSP 的产品时Wafer Mount/Saw都必须使用_____________的TCM本；

WLCSP在Wafer Saw的___________都要取12颗芯片检查封装尺寸（X、Y、Z、）参考SOP要求。并且每个Wafer lot都要做__________检查并将测试数据输入SPC系统；

SAW刀片的使用寿命AA：___________,BB：____________,FF：___________Others：___________；Wafer saw切割偏移和水平的检查频率为每____________片检查一次。

对于Laser Saw Full Power要求___________；每个批次生产前需要用__________和___________清洁载物台。

针对于MEMS Wafer在Mount工序必须用____________夹取Wafer进行操作，镊子的长嘴唇夹住Wafer的____________，短嘴唇夹Wafer的______________。

15、为了避免Double SAW(两次切割)事故的发生；1.SAW工序必须要将____________和_____________的产品分开放置。2.异常Wafer必须______________放置在提篮内进行处理。3.在调整切割位置后SAW出的第一刀，必须停机检查_____________和_____________位置无误，才能继续生产。

对于MPS产品指定在_____________和______________上生产，并且一个Wafer LOT只能在一台机器上生产，其中MPM/MPQ/AEC产品，每张Wafer都要做外观检查，频率是每个Wafer lot、每台机器______________，做划痕宽度检查的频率为每个Wafer lot、机器维修和更换刀片时_______________。

OCR是针对于需要使用____________的Device，在_____________工序后都要做OCR条形码打印。

所有在随工单上有要求使用MAP的DEVICE都需要用_____________打印条形码，MAP分为四类：______________、_____________、______________和______________。

OCR进料前需要确认提篮内所有Wafer Ring的缺口是向____________且Wafer______________向上。

晶片装裱后必须每片检查晶片背面与Mylar之间有无___________和___________。

只有针对Epoxy为___________的产品才需要Shim，WLCSP产品不需要；使用Shim时小心手指被Shim边缘割伤，对于没有Bump的Wafer，平台真空值必须____________，有Bump的Wafer真空值显示____________。

印刷完成后，用_________和________清洁丝网和刮刀，产品停留__________后在进行烘烤，每次烘烤烘箱内最多可放置_________提篮；芯片装裱到蓝膜上必须在____________内完成DA。

写出SAW机在哪五种情况必须在50倍以上高倍显微镜下，检查芯片正面、背面、侧面的切割质量__________、___________、____________、____________、____________。