FGI工序先进行Buffer膜层的主要原因是
起到增透膜作用，提高透过率
防止SiH4流量过大将ITO还原
增强GI膜层粘附性
起缓冲作用，避免GI层将Gate线压断
以下使用DI water进行冷却的PECVD设备部件是
Chiller
RPSC
RF Generator
Match Box
MCC软件启动命令为
run.mcc –l –e
run.mcc –z –n
test_enode
killer mmi
PECVD Process Chamber Dry Clean主要依靠（）实现
RF Generator
Match Box
Gas Panel
RPSC
以下哪些属于PECVD反应的重要参数
Gas Flow
Spacing
Temperature
Pressure
Power
Process Chamber 工艺过程中HMS Leak报警，一般情况下可能是由()导致Leak。
ZFFT圆形陶瓷板破裂
Slit Valve纵向Bellows破损
CSD O-ring老化腐蚀
观察窗石英破裂
CSD拉杆及螺丝的作用是
调整Diffuser中心值
防止BP变形
防止Diffuser中心下垂
使BP和Diffuser联通
以下关于PECVD Recipe描述错误的是
Specific gas设定意义为步骤开始前提前开启特定气体
Recipe内如无需改气体参与反应则将流量设置为0
Dep Recipe内可设置Susceptor运动速度
Recipe内Dep Time包含该步骤开始初期的稳定时间
Clean Season描述正确的是
FGI CC1 PT与Clean Season相关性大
PVX量产可使用ANAN结构Season
腔室做完Cln only后，需offline做完Cleanseason才可Online恢复量产
Season是在无玻璃的情况下载腔室内镀一层膜
PVX dep中的buffer层与FGIdep中的buffer层的作用相同。
所有镀膜中断的glass 都必须退片后，再进行补镀。
reflector power为100%可能是BP接地导致的。
更换RF gen后，需要更改对应 RF power table内的数值，abort initial后方可设置成功。
VPP Montitor可以实时传输VPP、Frequency、VDC数据。