3.一般来讲,当MOS管的栅-源偏压小于阈值电压,则( )形成沟道。
5. MOS管全称为 金属——( )——半导体晶体管
8. PMOS晶体管内载流子移动速率比NMOS晶体管内载流子移动速率 ( )
9. N阱工艺中可制造的唯一双极型晶体管是 ( )
10. 从平面结构上讲,长10微米,宽2微米的导线,电流延长边流动的前提下, 该导线有( )个方块。
12. 一根连线的电流密度为1mA/um,那么承载50mA电流需要( )um宽的导线。
13. MOS管的栅极电解质击穿会导致栅极和( )短路。
14. 要解决天线效应,一般是向( )层金属条线。
15. MOS电容的电介质一般是指MOS电容栅极下面的 ( )薄膜。
16. 硅片上生产出来的图形尺寸与版图数据的尺寸不是完全匹配,造成的原因是因为 ( )。
18. 一根金属导线的电容率为0.035fF/um^2,那么一个1um宽,200um长的导线的电容为 ( )
19. 精确匹配的电阻受到机械应力的影响以后,电阻会发生( )
20 . 一般来讲陶瓷封装和塑料封装,哪个对芯片产生的应力大 ( )