模拟测试周(1)考试题目

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1.PN结二极管与P型区相连的叫做( )
A 阳极
B阴极
2.PN结温度身高会引起扩散电流的( )
A 增加
B 减小
3.一般来讲,当MOS管的栅-源偏压小于阈值电压,则( )形成沟道。
A 会
B不会
4.MOS管栅极下的电介质越厚,阈值电压会( )
A 越大
B 越小
5. MOS管全称为 金属——( )——半导体晶体管
A 氧化物
B硅化物
6.硅片剖面图中,最下面的一层叫做( )
A P型衬底
B P型外延层
7. MOS管的衬底接触又叫做 ( )
A 源漏接触
B 背栅接触
8. PMOS晶体管内载流子移动速率比NMOS晶体管内载流子移动速率 ( )
A 快
B 慢
9. N阱工艺中可制造的唯一双极型晶体管是 ( )
A PNP管
B NPN管
10. 从平面结构上讲,长10微米,宽2微米的导线,电流延长边流动的前提下, 该导线有( )个方块。
A 10
B 5
11. NLDD晶体管使用( )次漏区扩散。
A 3
B 2
12. 一根连线的电流密度为1mA/um,那么承载50mA电流需要( )um宽的导线。
A 25
B 50
13. MOS管的栅极电解质击穿会导致栅极和( )短路。
A 源端
B 衬底
14. 要解决天线效应,一般是向( )层金属条线。
A 低
B 高
15. MOS电容的电介质一般是指MOS电容栅极下面的 ( )薄膜。
A 二氧化硅
B 氮化硅
16. 硅片上生产出来的图形尺寸与版图数据的尺寸不是完全匹配,造成的原因是因为 ( )。
A 工艺偏差
B 系统偏差
17.就芯片制造来讲,工艺偏差 ( )常量。
A 不是
B 是
18. 一根金属导线的电容率为0.035fF/um^2,那么一个1um宽,200um长的导线的电容为 ( )
A 6fF
B 7fF
19. 精确匹配的电阻受到机械应力的影响以后,电阻会发生( )
A 失配
B 无影响
20 . 一般来讲陶瓷封装和塑料封装,哪个对芯片产生的应力大 ( )
A 陶瓷
B 塑料

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