一.单项选择题：
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一.单项选择题：
Q1:2.以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声（）
A.散粒噪声
B.产生复合噪声
C.低频噪声
D.热噪声
Q2:1.已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.1um，则该材料的禁带宽度为（）
A.0.886eV
B.1.127eV
C.1.256eV
D.2.368eV
Q3:5.对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（），如果照度相同而温度不同时，二者（）
A.相同，不同
B.不同，不同
C.不同，相同
D.相同，相同
Q4:3.光敏电阻是（）器件，其原理属于（）
A.光电导器件，外光电效应
B.光电发射器件，外光电效应
C.光生伏特器件，内光电效应
D.光电导器件，内光电效应
Q5:6.硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射能量有良好的线性关系，且动态范围较大。
A.反向偏置
B.自偏置
C.零偏置
D.恒流
Q6:4.光生伏特器件在（）电路中具有输出功率。
A.开路
B.零偏置
C.自偏置
D.反向偏置
Q7:8.光电倍增管的长波限和短波限由什么因素决定？（）
A.光电阴极材料和窗口材料
B.光电阴极材料和倍增级材料
C.窗口材料和倍增级材料
D.光电阴极材料.倍增级材料和窗口材料
Q8:9.光电倍增管在低电压工作时，（）是暗电流的主要部分。
A.欧姆漏电
B.热发射
C.残余气体放电
D.场致发射
Q9:13.以下哪个不是光生伏特器件的特点（）
A.响应速度快
B.暗电流小
C.探测微弱辐射
D.受温度影响小
Q10:10.下面哪个不是光电倍增管的应用实例：（）
A.光子计数器
B.分光光度计
C.发射光谱仪
D.荧光光电分析仪
Q11:11.下面哪个不是光电耦合器件的应用：（）
A.光电检测
B.电平转换
C.逻辑门电路
D.隔离方面的应用
Q12:14.当标准钨丝灯为黑体时，试计算它的峰值辐射波长（）
A.1.015um
B.2.05um
C.3.5um
D.12um
Q13:12.下面哪一项可以作为光电耦合器件的发光件：（）
A.光电二极管
B.发光二极管
C.光敏电阻
D.光电池
Q14:15.以下选项中哪个是光电二极管的主要噪声（）
A.热噪声
B.产生复合噪声
C.低频噪声
D.散粒噪声
Q15:7.PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（）
A.1MHz
B.10MHz
C.100MHz
D.1GHz
Q16:16.光电二极管是（）器件，属于（）
A.光电导器件，外光电效应
B.光电发射器件，外光电效应
C.光生伏特器件，内光电效应
D.光电导器件，内光电效应
Q17:17.下列中（）的灵敏度最高。
A.光电二极管
B.光敏电阻
C.光电三极管
D.硅光电池
Q18:18.以下哪个是光电导器件的特点（）
A.响应速度快
B.暗电流小
C.探测微弱辐射
D.受温度影响小
Q19:19. PIN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（）
A.1GHz
B.100MHz
C.10MHz
D.1MHz
Q20:21.下面哪个是光电耦合器件的应用：（）
A.电平转换
B.光电检测
C.发射光谱仪
D.照相机电子快门
Q21:20. 光电倍增管的短波限由什么因素决定？（）
A.光电阴极材料
B.倍增级材料
C.并联电阻
D.窗口材料
Q22:22. 我国采用的电视制式是（）
A.NTSC
B.PAL
C.SECAM
Q23:23.当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为（）
A. 内光电效应
B.外光电效应
C.光磁电效应
D.光子牵引效应
Q24:24. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
A.0.886eV
B.1eV
C.1.2eV
D.2eV
Q25:25. 光敏电阻的主要作用是（）
A.光电探测
B.红外探测
C.光电开关
D.光电探测与控制
Q26:26. 硅光电池的主要作用是（ ）
A.光电探测
B.红外探测
C.光电开关
D.光电探测与开关
Q27:27. 光电倍增管的主要噪声有（）
A.散粒噪声，热噪声
B.散粒噪声，产生复合噪声
C.热噪声，产生复合噪声
D.电流噪声，热噪声
Q28:29. 本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越（），灵敏度越（）
A.长，高
B.长，低
C.短，高
D.短，低
Q29:28. 下面哪一项可以作为光电耦合器件的接收件：（）
A.光电二极管
B.发光二极管
C.斩波器
D.半导体激光器
Q30:30. 光生伏特器件在（）电路中具有电流放大功能。
A.开路
B.自偏置
C.零伏偏置
D.反向偏置
Q31:32. 下面属于冷光源的是：
A.太阳
B.白炽灯
C.发光二极管
D.卤钨灯
Q32:31.以下不是降低暗电流的方法的是（）
A.直流补偿
B.选频和锁相缩小
C.冷却光电倍增管
D.增加电磁屏蔽
Q33:34. 已知某种N型半导体的杂质吸收长波限为1.24um，则该材料的施主电离能为（ ）
A.0.886eV
B.1eV
C.1.2eV
D.2eV
Q34:35. 对于同一种型号的光敏电阻，在照度相同而温度上升时，其光电导灵敏度与热噪声分别表现为（）
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
Q35:36. 太阳能硅光电池在向负载提供电源时，工作在（ ）状态。
A.恒流
B.自偏置
C.零伏偏置
D.反向偏置
Q36:37. 光电倍增管使用时主要的噪音是( )
A.低频噪声
B.散粒噪声
C.热噪声
D.复合噪声
Q37:38. 法国电视的采用的制式是（）
A.PAL
B.NTSC
C.SECAM
D.ASCII
Q38:39. 下面哪个是光电耦合器件的应用：（）
A.电平转换
B.发电
C.A/D转换
D.D/A转换
Q39:40. 人体的峰值辐射波长为（）
A.9.6um
B.2.05um
C.3.5um
D.1.01um
Q40:41. 氮化镓蓝光二极管的发光机制属于（）
A.阴极射线发光
B.光致发光
C.放射线发光
D.注入式电发光
Q41:33. 美国电视的采用的制式是（）
A.PAL
B.NTSC
C.SECAM
Q42:42.本征光电导器件工作时发生的吸收是（）
A.激子吸收
B.自由载流子吸收
C.本征吸收
D.晶格吸收
Q43:44.硅光电二极管的最高工作电压应小于（）
A.0.7V
B.1.1V
C.5V
D.10V
Q44:43.以下光电器件中（）的响应速度最快。
A.PIN光电二极管 .
B.光敏电阻
.C.光电三极管
D.硅光电池
Q45:45.下面属于热辐射探测器的是：（）
A.雪崩光电二极管
B.热电堆
C.发光二极管
D.光电倍增管
Q46:46.发光效率的计量单位为（）
A.流明每瓦
B.流明
C.无量纲
D.瓦特每球面度
Q47:47.电磁波谱中可见光的波长范围为（）
A.0.38-0.78um
B.0.38-1um
C.1-3um
D.8-12um
Q48:48.发光强度的单位是（）
A.流明
B.坎德拉
C.瓦特
D.瓦特每球面度
Q49:49.若要检测脉宽为100ns的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。
A.PIN型光电二极管
B.光电三极管
C.PN结型光电二极管
D.硅光电池
Q50:50.光电倍增管的暗电流在正常情况下，一般为（）
A.10*-20—10*-11 A
B.10*-16—10*-10 A
C.10*-10—10*-4 A
D.10*-4—10*-2 A
Q51:51.光电倍增管按倍增级结构可分为（）
A.端窗式和侧窗式
B.聚焦型和非聚焦型
C.百叶窗型和盒栅式
D.瓦片静电聚焦型和圆形鼠笼式
Q52:52.下面哪个不是半导体激光器产生激光的必要条件？
A.需要泵浦源
B.要有大量的粒子数反转
C.要有一个谐振腔
D.需要负载
Q53:53.下列哪一项不属于线阵CCD的结构（）
A.输出放大器
B.光栅
C.模拟移位寄存器
D.乘法器
Q54:56.可见光波长范围内某辐射源发出的辐射通量与所需输入电功率之比称为（）
A.辐射效率
B.发光效率
C.光视效能
D.光谱功率
Q55:54.下列哪一项不属于CMOS图像传感器的结构（）
A.地址译码器
B.A/D转换器
C.图像预处理电路
D.SRAM存储结构
Q56:55. 半导体中施主能级位于（）内
A.禁带
B.导带
C.价带
D.能带
Q57:57. 一个辐射体发射的总光通量与总辐射通量之比，称为该辐射体的（）
A.辐射效率
B.发光效率
C.光视效能
D.光谱功率
Q58:59. 波长为1mm的电磁波属于（）
A.远红外线
B.X射线
C.太赫兹波
D.紫外线
Q59:58. 任何温度下对任何波长的入射辐射的吸收比都等于1的物体称为（）
A.黑体
B.灰体
C.黑洞
D.选择性辐射体
Q60:60. 卤钨灯是一种（）
A.热光源
B.冷光源
C.气体光源
D.固体光源
Q61:61. 下列属于受激发射的器件为（）
A.半导体激光器
B.发光二极管
C.光电倍增管
D.CCD
Q62:62. 在光电倍增管中，发生光电效应的部位是（）
A.入射窗口
B.光电阴极
C.倍增极
D.阳极
Q63:63. 可产生太赫兹辐射的光源是（）
A.红宝石激光器
B.氦氖激光器
C.二氧化碳激光器
D.飞秒脉冲激光器
Q64:64. 线阵CCD通过（）工作
A.电场
B.电阻
C.磁场
D.电荷
Q65:65.任何温度下对任何波长的入射辐射的吸收比都小于1且连续变化的物体称为（）
A.黑体
B.灰体
C.黑洞
D.选择性辐射体
Q66:66.半导体中受主能级位于（）内
A.禁带
B.导带
C.价带
D.能带
Q67:67. 下列属于相干光源的是（）
A.气体放电灯
B.人工黑体
C.固体激光器
D.发光二极管
Q68:68. 下列属于成像器件的是（）
A.CCD
B.PMT
C.LED
D.LD
Q69:69.在光电倍增管中，发生二次电子发射效应的部位是（）
A.入射窗口
B.光电阴极
C.倍增极
D.阳极
Q70:70. 在一定强度的光照下，短路电流与入射光波长的关系，称为光电池的（）特性
A.频率
B.波长
C.光谱
D.伏安
Q71:71. 发光二极管的发光区位于（）
A.结区
B.P区
C.N区
D.窗口
Q72:73. 大气层外太阳辐射的峰值波长为456.0 nm，则对应的太阳表面温度为（）
A.5353 K
B.6353 K
C.7353 K
D.8353 K
Q73:72.下列属于自发辐射的器件为（）
A.半导体激光器
B.发光二极管
C.光电倍增管
D.CCD
Q74:74. 光电池的光电流滞后于光照，属于光电池的（）特性
A.频率
B.温度
C.光谱
D.伏安
Q75:75. 发光二极管的正常工作条件（）
A.加正向偏置
B.加反向偏置
C.加光照
D.加热
Q76:76. 下列哪个不属于摄像管的功能（）
A.光电变换
B.电荷积累
C.扫描输出
D.信号变换
Q77:77. 太阳能硅光电池的正常工作条件是（）
A.加正向偏置
B.加反向偏置
C.加光照
D.加热
Q78:78. 用光电法测量某高速转轴的转速（15000r/min），最好选用（）
A.PMT
B.光敏电阻
C.2CR42硅光电池
D.3DU型光电三极管
Q79:80. 光电倍增管的高压电源稳定度的要求（）
A.10%
B.5%
C.1%
D.0.1%
Q80:81. 在光照的作用下，半导体电导率增加的现象属于（）
A.光电发射效应
B.光电导效应
C.光生伏特效应
D.内光电效应
Q81:82. 自动控制路灯中主要使用（）
A.光电二极管
B.光敏电阻
C.热敏电阻
D.热电堆
Q82:83. 照相机电子快门中使用的是（）
A.光电二极管
B.光敏电阻
C.热敏电阻
D.热电堆
Q83:79. 太赫兹波的频率范围（）
A.10*8-10*10
B.10*11-10*13
C.10*14-10*16
D.10*17-10*19
Q84:84. 利用温差电效应制备的热探测器件为（）
A.热电堆
B.热敏电阻
C.热释电器件
D.热电动器件
Q85:85. 利用热释电效应制备的热探测器件为（）
A.TGS晶体器件
B.热敏电阻
C.热电堆
D.PMT
Q86:86. 辐射源单位时间内向所有方向发射能量，称为（）
A.辐功率
B.辐强度
C.辐照度
D.辐出度
Q87:87. 像增强器是（）成像器件
A.微光
B.可见光
C.紫外
D.红外
Q88:89. 光敏电阻与光生伏特器件的时间常数相比（）
A.前者大
B.后者大
C.一样大
D.无法确定
Q89:88. 利用具有极化现象的晶体制成的红外探测器称为（）
A.热电堆
B.热敏电阻
C.热释电器件
D.热电动器件
Q90:90. 光源在指定方向上通过单位立体角的辐射通量的大小，称为（）
A.辐功率
B.辐强度
C.辐照度
D.辐出度
Q91:91. 电子亲和势是指电子从（）到真空能级的能级差
A.费米能级
B.施主能级
C.受主能级
D.导带底能级
Q92:92. 光电探测器单位信噪比对应的辐射功率，称为光电探测器的（）
A.噪声等效功率
B.电流灵敏度
C.光谱灵敏度
D.阈值
Q93:93. 下列像管的性能指标中（）值越高，像管的成像质量越好
A.光电转换特性
B.等效背景照度
C.畸变
D.暗电流
Q94:94. 地面测得太阳辐射的峰值波长为502.0 nm，则对应的太阳表面温度约为（）
A.5000 K
B.6000 K
C.7000 K
D.8000 K
Q95:96. 电致发光显示是一种（）光源
A.固体
B.液体
C.气体
D.激光
Q96:95. 雪崩光电二极管正常工作时应加（）
A.高正向偏压
B.低正向偏压
C.高反向偏压
D.低反向偏压
Q97:97. 辐射体单位元表面所辐射的通量，称为（）
A.辐功率
B.辐强度
C.辐照度
D.辐出度
Q98:100. 对快速弱辐射脉冲信息的探测应选用（）
A.光电二极管
B.光电倍增管
C.热敏电阻
D.热电堆
Q99:98. 照射到物体某一点处面元的辐通量与该面元的面积之比，称为（）
A.辐功率
B.辐强度
C.辐照度
D.辐出度
Q100:99. 对微弱信号探测应选用（）
A.光电二极管
B.光敏电阻
C.热敏电阻
D.热电堆
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