模拟测试周（1）考试题目 - 在线考试测评模板

Q1:1.PN结二极管与P型区相连的叫做（）

A 阳极

B阴极

Q2:2.PN结温度身高会引起扩散电流的（）

A 增加

B 减小

Q3:3．一般来讲，当MOS管的栅-源偏压小于阈值电压，则（）形成沟道。

A 会

B不会

Q4:4．MOS管栅极下的电介质越厚，阈值电压会（）

A 越大

B 越小

Q5:5. MOS管全称为金属——（）——半导体晶体管

A 氧化物

B硅化物

Q6:6．硅片剖面图中，最下面的一层叫做（）

A P型衬底

B P型外延层

Q7:7. MOS管的衬底接触又叫做（）

A 源漏接触

B 背栅接触

Q8:8. PMOS晶体管内载流子移动速率比NMOS晶体管内载流子移动速率（）

A 快

B 慢

Q9:9. N阱工艺中可制造的唯一双极型晶体管是（）

A PNP管

B NPN管

Q10:10. 从平面结构上讲，长10微米，宽2微米的导线，电流延长边流动的前提下，该导线有（）个方块。

A 10

B 5

Q11:11. NLDD晶体管使用（）次漏区扩散。

A 3

B 2

Q12:12. 一根连线的电流密度为1mA/um，那么承载50mA电流需要（）um宽的导线。

A 25

B 50

Q13:13. MOS管的栅极电解质击穿会导致栅极和（）短路。

A 源端

B 衬底

Q14:14．要解决天线效应，一般是向（）层金属条线。

A 低

B 高

Q15:15. MOS电容的电介质一般是指MOS电容栅极下面的（）薄膜。

A 二氧化硅

B 氮化硅

Q16:16. 硅片上生产出来的图形尺寸与版图数据的尺寸不是完全匹配，造成的原因是因为（）。

A 工艺偏差

B 系统偏差

Q17:17.就芯片制造来讲，工艺偏差（）常量。

A 不是

B 是

Q18:18. 一根金属导线的电容率为0.035fF/um^2，那么一个1um宽，200um长的导线的电容为（）

A 6fF

B 7fF

Q19:19. 精确匹配的电阻受到机械应力的影响以后，电阻会发生（）

A 失配

B 无影响

Q20:20 . 一般来讲陶瓷封装和塑料封装，哪个对芯片产生的应力大（）

A 陶瓷

B 塑料