研发流程与EMC/ESD知识考核试卷

本试卷旨在考核考生对公司产品研发流程、EMC测试、ESD测试及安规认证相关知识的掌握情况。请仔细审题，认真作答。考试时间建议为30分钟，满分100分。

Q1:姓名

填空1

Q2:工号

填空1

Q3:我司当前使用研发开发流程顺序是PE-EVT-DVT-PVT。（）

正确

错误

Q4:DFMEA相关工作应该在EVT阶段完成。（）

正确

错误

Q5:电子电路原理设计、PCB Layout相关工作应该在EVT阶段完成。（）

正确

错误

Q6:EMC测试就是指CE和RE测试。（）

正确

错误

Q7:UL、CE、TVU安规认证时对风扇EMC没有要求。（）

正确

错误

Q8:ESD测试中接触放电是模拟人体/导体直接接触金属部件的静电释放过程。（）

正确

错误

Q9:下列关于我司开发流程描述正确的是（）

A．PE-专案评估阶段

B．EVT-工程验证与设计审查阶段

C．DVT-设计验证阶段

D．PVT-量产验证阶段

Q10:EMC测试定案一般在下列哪个阶段完成（）

A．PE

B．EVT

C．DVT

D．PVT

Q11:下列关于EMC测试表述正确的是（）

A．一般非车规风扇CE与RE测试标准参考EN55032相关规范或依据客户要求。

B．车规风扇CE与RE测试标准参考CISPR25相关规范或依据客户要求。

C．EN55032规范判定标准Class A与Class B两个等级。

D．EN55032规范中Class B标准相对Class A更严苛。

Q12:关于风扇产品CE（传导发射）测试，依据讲义内容，以下表述正确的有（）

A. 工规风扇CE测试频率范围为150kHz~30MHz，参考EN55032标准。

B. 车规风扇CE测试频率范围为150kHz~108MHz，参考CISPR25标准。

C. 车规风扇CE测试中，电源线使用电压法测试，信号线使用电流法测试。

D. CE测试的优化方向包括增加输入端CLC滤波电路、调整MOS驱动阻容、优化PCB布局。

Q13:关于RE（辐射发射）测试及改善措施，下列说法正确的是（）

A. 工规RE测试频率范围为30kHz~1GHz，参考EN55032标准。

B. 车规RE测试频率范围为108kHz~5GHz，分5个等级。

C. 降低MOS开关速度、减缓电流变化率，可有效降低辐射发射。

D. 增加金属屏蔽是RE优化的有效手段之一。

Q14:依据讲义中的ESD测试及改善案例，以下理解正确的是（）

A. ESD测试参照标准为IEC61000-4-2。

B. ESD测试状态需包含带电运行和不上电两种状态。

C. 测试点一般包括连接器、外观金属面、扇框HUP面等。

D. 改善ESD可通过在接口增加ESD电阻、TVS管、电容，或优化PCB布局，或选用更高ESD能力器件。

Q15:关于EMS（电磁抗扰度）测试项目，以下表述正确的有（）

A. CS（射频场感应的传导骚扰抗扰度）测试依据标准为IEC 61000-4-6。

B. RS（射频电磁场辐射抗扰度）测试频率范围通常为80MHz~6GHz。

C. EFT（电快速瞬变脉冲群）测试主要用于评估设备在电源端口、信号端口受到快速瞬变脉冲干扰时的抗扰度。

D. DIP（电压暂降与短时中断）测试的试验等级以%UT（剩余电压百分比）表示。

研发流程与EMC/ESD知识考核试卷

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